CZSiGe单晶的 FTIR光谱研究
来源期刊：功能材料与器件学报2005年第1期
论文作者：牛新环 张维连 蒋中伟 张书玉
关键词：CZ法; SiGe单晶; 红外光谱;
摘 要：利用傅立叶红外光谱( FTIR)测试技术,研究了掺锗 CZSi的低温和常温红外吸收光谱.发现 高浓度 Ge掺入 CZSi在红外吸收光谱中引起的波数为 1118 cm- 1、 710 cm- 1和 800 cm- 1的新红外 吸收峰,这些峰的吸收强度随 Ge含量的增加也逐渐增强;碳的红外吸收峰( 607 cm- 1)则向低频方 向移动.同时利用 X射线单晶衍射技术( SCXRD)测定了 SiGe( Ge: 10wt%)单晶的晶格常数,结果 表明晶格常数由 Si单晶的 0.54305nm变为 0.5446nm.
牛新环1，张维连1，蒋中伟1，张书玉1
(1.河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130)
摘要:利用傅立叶红外光谱( FTIR)测试技术,研究了掺锗 CZSi的低温和常温红外吸收光谱.发现 高浓度 Ge掺入 CZSi在红外吸收光谱中引起的波数为 1118 cm- 1、 710 cm- 1和 800 cm- 1的新红外 吸收峰,这些峰的吸收强度随 Ge含量的增加也逐渐增强;碳的红外吸收峰( 607 cm- 1)则向低频方 向移动.同时利用 X射线单晶衍射技术( SCXRD)测定了 SiGe( Ge: 10wt%)单晶的晶格常数,结果 表明晶格常数由 Si单晶的 0.54305nm变为 0.5446nm.
关键词:CZ法; SiGe单晶; 红外光谱;
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