Si(111)和Si(100)衬底上AlN薄膜的激光分子束外延生长特征
来源期刊：机械工程材料2012年第7期
论文作者：李雪飞 谢尚昇 何欢 符跃春
文章页码：38 - 99
关键词：AlN薄膜;硅;激光分子束外延;晶体结构;
摘 要：采用激光分子束外延技术在Si（111）和Si（100）衬底上制备了AlN薄膜,研究了衬底温度和激光能量对薄膜物相结构和形貌的影响。结果表明:低的激光能量和高的衬底温度有益于薄膜的取向度和表面质量;激光能量为100mJ时,Si（111）衬底上的AlN薄膜呈单一的h-AlN（002）取向,Si（100）衬底上的薄膜在600℃时出现小的h-AlN（100）衍射峰,在700℃时呈微弱的h-AlN（002）取向;在Si（111）衬底上更易生长出取向度高的AlN薄膜。
李雪飞，谢尚昇，何欢，符跃春
有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室,广西大学材料科学与工程学院
摘 要：采用激光分子束外延技术在Si（111）和Si（100）衬底上制备了AlN薄膜,研究了衬底温度和激光能量对薄膜物相结构和形貌的影响。结果表明:低的激光能量和高的衬底温度有益于薄膜的取向度和表面质量;激光能量为100mJ时,Si（111）衬底上的AlN薄膜呈单一的h-AlN（002）取向,Si（100）衬底上的薄膜在600℃时出现小的h-AlN（100）衍射峰,在700℃时呈微弱的h-AlN（002）取向;在Si（111）衬底上更易生长出取向度高的AlN薄膜。
关键词：AlN薄膜;硅;激光分子束外延;晶体结构;
