激光脉冲外延生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜及其特性研究
来源期刊：功能材料2007年第5期
论文作者：刘瑜 谢四强 程秀兰
关键词：PZT; 异质外延生长; 激光脉冲沉积; LaNiO3; 铁电;
摘 要：利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长(100) Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外延结构和电学特性的影响.研究发现当生长温度高于550℃时即可得到外延(100)PZT薄膜.在对所制备的PZT薄膜的结构和性能测试表明,650℃下生长的PZT薄膜外延性最佳,并且表现出优异的介电和铁电性能,介电常数ε、剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为900、26.5 μC/cm2和52.1kV/cm.试验还证实这种外延PZT薄膜具有优良的抗疲劳特性,可用于铁电存储器的制备中去.
刘瑜1，谢四强3，程秀兰1
(1.上海交通大学,微电子学院,上海,200030;
2.中芯国际集成电路制造(上海;
3.电子科技大学,电子工程学院,四川,成都,610054)
摘要:利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极并外延生长(100) Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜,系统研究了生长温度对PZT外延结构和电学特性的影响.研究发现当生长温度高于550℃时即可得到外延(100)PZT薄膜.在对所制备的PZT薄膜的结构和性能测试表明,650℃下生长的PZT薄膜外延性最佳,并且表现出优异的介电和铁电性能,介电常数ε、剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为900、26.5 μC/cm2和52.1kV/cm.试验还证实这种外延PZT薄膜具有优良的抗疲劳特性,可用于铁电存储器的制备中去.
关键词:PZT; 异质外延生长; 激光脉冲沉积; LaNiO3; 铁电;
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