脉冲激光沉积c轴取向BiCuSeO外延薄膜及其热电性能

来源期刊：材料导报2019年第1期

论文作者：袁大超 郭双 郝建军 马跃进 王淑芳

文章页码：152 - 155

关键词：铋铜硒氧外延薄膜;c轴取向;热电性能;脉冲激光沉积;

摘    要：利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3单晶基片上制备了BiCuSeO薄膜并详细研究了沉积温度对薄膜晶体结构、微观形貌及热电输运性能的影响。在最佳沉积温度（330℃）下,所制备的BiCuSeO薄膜不含任何杂相且沿c轴取向外延生长,与基片的外延关系为[010]SrTiO3∥[010]BiCuSeO和[001]SrTiO3∥[100]BiCuSeO。电学性能测试表明该薄膜在20～350 K内均表现出金属导电特性,室温电阻率仅为12.5 mΩ·cm,远低于相应的多晶块体材料。计算所得的室温功率因子PF约为3.3μW·cm-1·K-2,高于相应的多晶块体材料,表明c轴取向BiCuSeO外延薄膜在薄膜热电器件领域具有重要的应用前景。