脉冲激光沉积中高能量密度激光密度对Cu₂Se热电薄膜成分与性能的影响（英文）

吕艳红¹，陈吉堃^1,2，D?BELI Max³，李宇龙¹，史迅¹，陈立东¹

1. 中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院能量转换材料重点实验室2. 北京科技大学材料科学与工程学院3. 瑞士苏黎世联邦理工大学粒子物理中心

摘 要：本工作提出了脉冲激光沉积法生长Cu2Se热电材料薄膜中维持较高的激光切削能量密度对于实现薄膜与靶材成分等比例传输的重要性。使用较高的脉冲激光能量生长的Cu2Se薄膜具有纯的?-相,并具有与靶材相近的化学组分。这主要是因为较高的激光能量可以更加有效地引起等离子体对激光-固体直接作用的屏蔽,这可以使得靶材中的铜和硒元素的激光切削量更加接近靶材的化学计量比。由于硒具有较高的蒸汽压,降低激光能量会加强激光与固体的直接作用,从而更有效地切削硒元素,导致所沉积薄膜中产生铜缺陷。进一步讨论了所使用的氩气背景气体压力对于所生长的Cu2Se薄膜热电性能的影响。当使用高激光能量低背景气体压力时,所生长的薄膜具有最佳的热电性能。

关键词：Cu2Se薄膜;脉冲激光沉积;热电;激光能量;