铜/镍纳米多层膜脉冲电沉积法制备及沉积机理初探
来源期刊:材料保护2009年第6期
论文作者:朱福良 谢建平 黄达 于倩倩
关键词:电沉积机理; 脉冲; 铜/镍纳米多层膜; 制备;
摘 要:利用脉冲电沉积法成功制备出了层状结构清晰的Cu/Ni纳米多层膜.采用线性扫描伏安法、循环伏安法以及铜镍沉积过程中的电压-电流曲线等方法,研究了在硼酸系溶液中铜/镍纳米多层膜的沉积机理,使用扫描电子显微技术观察了多层膜的微观结构.结果表明:铜的沉积为扩散控制步骤,镍的沉积分为2步进行,即中间经历Ni(OH)+的过渡状态;铜、镍的沉积电位分别为-0.5 V和-1.1 V.经计算和测量对比,本脉冲法制备的多层膜符合基础电沉积原理.
朱福良1,谢建平2,黄达2,于倩倩2
(1.兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室,甘肃,兰州,730050;
2.兰州理工大学材料科学与工程学院,甘肃,兰州,730050)
摘要:利用脉冲电沉积法成功制备出了层状结构清晰的Cu/Ni纳米多层膜.采用线性扫描伏安法、循环伏安法以及铜镍沉积过程中的电压-电流曲线等方法,研究了在硼酸系溶液中铜/镍纳米多层膜的沉积机理,使用扫描电子显微技术观察了多层膜的微观结构.结果表明:铜的沉积为扩散控制步骤,镍的沉积分为2步进行,即中间经历Ni(OH)+的过渡状态;铜、镍的沉积电位分别为-0.5 V和-1.1 V.经计算和测量对比,本脉冲法制备的多层膜符合基础电沉积原理.
关键词:电沉积机理; 脉冲; 铜/镍纳米多层膜; 制备;
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