Al-50Si合金电子封装材料的热压法制备及性能表征
来源期刊:粉末冶金工业2012年第5期
论文作者:杨奔 蒋阳 丁夏楠 仲洪海 李翔鹏
文章页码:24 - 28
关键词:Al-Si合金;热压;电子封装;热导率;热膨胀系数;
摘 要:本文采用热压法制备了一种性能优良的Al-50Si合金电子封装材料。通过比较不同烧结工艺下烧结体的密度,获得了制备该合金的最佳烧结工艺:低温(460℃)压制压力100MPa、烧结温度800℃、烧结时间2h,热等静压工艺参数:温度540℃、压力200MPa,保温保压4h。对在最佳烧结工艺条件下,经过热等静压处理后的材料进行了性能表征,具体性能:相对密度达到99%,抗弯强度223MPa,硬度153HB,热膨胀系数在0~200℃达到9.3×10-6/K,热导率达到142W/(m.K)。
杨奔,蒋阳,丁夏楠,仲洪海,李翔鹏
合肥工业大学材料科学与工程学院
摘 要:本文采用热压法制备了一种性能优良的Al-50Si合金电子封装材料。通过比较不同烧结工艺下烧结体的密度,获得了制备该合金的最佳烧结工艺:低温(460℃)压制压力100MPa、烧结温度800℃、烧结时间2h,热等静压工艺参数:温度540℃、压力200MPa,保温保压4h。对在最佳烧结工艺条件下,经过热等静压处理后的材料进行了性能表征,具体性能:相对密度达到99%,抗弯强度223MPa,硬度153HB,热膨胀系数在0~200℃达到9.3×10-6/K,热导率达到142W/(m.K)。
关键词:Al-Si合金;热压;电子封装;热导率;热膨胀系数;