ONO反熔丝器件制备工艺及其特性研究

来源期刊：材料导报2014年第S2期

论文作者：刘国柱 张明 郑若成 徐静 王印权 洪根深

文章页码：128 - 265

关键词：ONO;反熔丝;编程电阻;击穿电压;

摘    要：基于1.0μm ONO（SiO2-Si3N4-SiO2）反熔丝CMOS工艺,主要研究了反熔丝孔腐蚀掩蔽层对ONO反熔丝器件特性的影响。研究发现,采用非掺杂多晶硅作为反熔丝孔腐蚀的掩蔽层、低压氧化方式生长隧道氧化层、LPCVD制备富N的Si3N4层、高温热氧化方式生长顶层氧化层等工艺制备ONO反熔丝单元,其熔丝具有良好的开关态特性:半编程电压条件下漏电低（约1.0×10-2 A）、击穿电压离散性小（均匀性小于5%）、编程电阻低（编程电流大于2mA时,其熔丝编程电阻小于300Ω）等,同时,在常温25℃、工作电压5V条件下,该结构0.6¹.5μm孔径的反熔丝单元寿命均达10年以上。