反熔丝的研究与应用
来源期刊:材料导报2011年第11期
论文作者:王刚 李平 李威 张国俊 谢小东 姜晶
文章页码:30 - 33
关键词:反熔丝;氧化物-氮化物-氧化物;非晶硅;栅氧化层;反熔丝PROM;反熔丝FPGA;
摘 要:综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料。
王刚,李平,李威,张国俊,谢小东,姜晶
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
摘 要:综述了ONO(氧化物-氮化物-氧化物)反熔丝、非晶硅(a-Si)反熔丝和栅氧化层反熔丝的制作工艺、性能参数及其优缺点,介绍了反熔丝器件包括反熔丝可编程只读存储器(PROM)和反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)在器件应用、存储容量、可用门数、工作电压和抗辐射性能等方面的研究进展,指出了反熔丝以及反熔丝器件的4个主要发展趋势,即工艺兼容、高密度、有机/柔性和新材料。
关键词:反熔丝;氧化物-氮化物-氧化物;非晶硅;栅氧化层;反熔丝PROM;反熔丝FPGA;